Все статьи

«Micron» представила реактивную флешку

Высокоскоростную флеш-память NAND представила в минувшую пятницу компания «Micron». Как передает новостная лента «CitCity», скорость чтения у новой памяти составляет 200 мегабайт в секунду, а скорость записи — до 100 мегабайт в секунду. У обычной NAND-памяти скорость чтения ограничена 40 мегабайтами в секунду, а скорость записи составляет менее 20 мегабайт в секунду.

Новая память создана по 55-нанометровому технологическому процессу и выдерживает до 100 тысяч циклов чтения/записи. Ожидается, что производители начнут массовое производство высокоскоростной памяти во второй половине 2008 года.

Ещё рекомендуем прочитать:

Сайт Зубова оказался по зубам хакерам
«Urchin Software» от «Google» — пожиратель пространства
«Рамблер» удвоил оборот
Желтая майка «Яндекса»
«Intel» представила процессор «Silverthorne»

Внимание!
Цитирование авторских материалов допускается только при условии прямой гиперссылки на «Introweb.ru»!